铜箔专利
❶ 专利是否涉及侵权 均等论 跪求高人回答
首先是否在中国申请专利,是该专利目前是否受法律保护,若已经失效则根本不涉及侵权不侵权。
专利侵权依据主要是主权项,那么电镀到100,和电镀到5-70是否具有新的技术效果,解决了5-70不能解决的技术问题,如果没有新的效果,未能解决新的技术问题,那么就适于等同原则,
从说明书5-70是否可直接毫无意义的推导出100,如果可以,那么是侵权的。
❷ 铜箔的发展历史
铜箔英文为electrodepositedcopperfoil,是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中,电解铜箔被称为:电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。2002年起,中国印制电路板的生产值已经越入世界第3位,作为PCB的基板材料——覆铜板也成为世界上第3大生产国。由此也使中国的电解铜箔产业在近几年有了突飞猛进的发展。为了了解、认识世界及中国电解铜箔业发展的过去、现在,及展望未来,据中国环氧树脂行业协会专家特对它的发展作回顾。
从电解铜箔业的生产部局及市场发展变化的角度来看,可以将它的发展历程划分为3大发展时期:美国创建最初的世界铜箔企业及电解铜箔业起步的时期;日本铜箔企业全面垄断世界市场的时期;世界多极化争夺市场的时期。
美国创建最初的世界铜箔企业及电解铜箔业起步的时期(1955年~20世纪70年代) 1922年美国的Edison发明了薄金属镍片箔的的连续制造专利,成为了现代电解铜箔连续制造技术的先驱。据中国环氧树脂行业协会专家介绍,这项专利内容是在阴极旋转辊下半部分通过电解液,经过半园弧状的阳极,通过电解而形成金属镍箔。箔覆在阴极辊表面,当辊筒转出液面外时,就可连续剥离卷取所得到的金属镍箔。
1937年美国新泽西州PerthAmboy的Anaconde制铜公司利用上述Edison专利原理及工艺途径,成功地开发出工业化生产的电镀铜箔产品。他们使用不溶性阳极“造酸电解”“溶铜析铜”,达到铜离子平衡的连续法生产出电解铜箔。这种方法的创造,要比压延法生产起铜箔更加方便,因此,当时大量地作为建材产品,用于建筑上防潮、装饰上。 1955年在Anaconda公司中曾开发、设计电解铜箔设备的Yates工程师,及Adler博士从该公司中脱离,独立成立了Circuitfoil公司(简称CFC,即以后称为Yates公司的厂家)。Yates公司还在之后在美国的新泽西州、加州以及英国建立了生产电解铜箔的工厂。1957年从Anaconda公司又派生出Clevite和Gould公司。他们也开始生产印制电路板用电解铜箔。以后Gould公司分别在德国(当时的西德)、香港、美国俄亥俄州、美国亚利桑那州、英国建立了电解铜箔厂,以供应覆铜箔板、PCB的生产。20世纪50年代后期,Gould公司已成为世界最大的电解铜箔生产企业。
1958年日本的日立化成工业公司与住友电木公司(两家公司均为日本主要CCL生产厂家),合资建立了日本电解公司。其后日本福田金属箔粉工业公司(简称福田公司)、古河电气工业公司(简称古河电工公司)、三井金属矿业公司(简称三井公司)纷纷建立电解铜箔生产厂。构筑起日本PCB用电解铜箔产业。当时日本各家铜箔厂采用的是间断式电解法:利用电铸技术、氰化铜镀浴、极性辊为不锈钢材质,电解铜作为可溶性阳性。这种效率较低的生产方式,全日本每月可生产几千米的薄铜片。 20世纪60年代,PCB已经逐渐普及到电子工业的各个领域之中,铜箔的需求量迅速增长。据中国环氧树脂行业协会专家介绍,1968年三井公司(Mitsui)从美国Anaconda公司首次引进了连续电解制造铜箔的技术,并在琦玉县上尾镇的工厂中生产此种电解铜箔。
古河电工公司(Furukawa)也从美国的CFC公司引进了铜箔生产技术。古河电工公司在日本枥木县建立的铜箔的生产厂于1972年竣工生产。另外,日本电解公司和福田公司(Fukuda)利用独自开发的连续电解铜箔的技术及铜箔表面处理技术,也在20世纪70年代得到确立,开始了工业化电解铜箔的生产。日本几大家铜箔厂在技术及生产上,于70年代初,得到飞跃性进步。
20世纪60年代初。中国的本溪合金厂(及现在的本溪铜箔厂)、西北铜加工厂(即现在的白银华夏电子材料股份有限公司)、上海冶炼厂(即现在的上海金宝铜箔有限公司)依靠自己开发的技术,开创了中国PCB用电解铜箔业。70年代初已可大批量连续化生产生箔产品。那时期铜箔粗化处理技术主要依靠国内几家覆铜板厂家加工。60年代后期,首先北京绝缘材料厂开发成功“阳极氧化”粗化处理法。并在压延铜箔上实现粗化处理加工后,又在电解铜箔上得到实现。80年代初,中国大陆的铜箔业实现了电解铜箔的阴极化的表面粗化处理技术。
❸ 化合物专利怎么适用等同侵权
如果直接用压延铜箔再电镀一层厚度超过100um的铜箔,这样属于侵权
适用于等同原则
一 等同原则的概念 等同原则Doctrine of Equivalents(简称“DOE”)
它是指在专利侵权中对于涉嫌侵权的某项技术与已获技术相比,虽然未在字面上落入该专利权利要求书的范围之内,但如果被控物产品或方法与专利权利要求,是以基本相同的方式实现基本相同的功能产生基本相同的效果,则应判定侵权成立。该原则在我国出现的比较晚在司法实践中虽然已经承认了等同原则但专利法以及其他有关法律、行政法规对等同没有作出明确规定这就要求在实践中把握住等同原则的实质正确地适用该原则。
二、等同原则在我国实践中的适用中出现的问题
等同原则在美国发达国家早就有了很大的发展但是它作为一项正式的专利侵权判定原则在我国却出现的比较晚。我国关于等同原则最早的法律依据是我国最高人民法院于2001年6月19日颁布的《最高人民法院关于审理专利纠纷案件适用法律问题若干规定》该规定第十七条明确规定“专利法第五十六条第一款所称的‘发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准说明书及附图可以用于解释权利要求’是指专利权的保护范围应当以权利要求书中明确记载的必要技术特征所确定的范围为准也包括与该必要技术特征相等同的特征所确定的范围。该规定的第17条第二规定“等同原则是指与所记载的技术特征以基本相同的手段实现基本相同的功能达到基本相同的效果并且本领域的普通技术人员无经过创造性的劳动就能够联想到的特征。”
判断是否适用等同原则,最主要是法官的判断,有没有超过范围(等同原则本身就有扩大专利范围的倾向)
❹ 铜箔和金属铜能够焊接么非常感谢!
楼上写那么多,头都大了,当然可以焊接,找金合能超声科技。
❺ 怎样将cu衬底上的石墨烯转移到au衬底上
1、石墨烯粉体
所谓“石墨烯粉体”,实际上就是单层石墨烯和多层石墨烯的混合物。目前公众对石墨烯的理解有些混乱。一些企业或者是媒体报道中虽然号称“石墨烯”,但是事实上可能仅是石墨而已。
事实上,现在全世界对石墨烯也没有一个明确的定义。资料显示,最初的石墨烯仅指一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料,是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角形呈蜂巢晶格的平面薄膜,是只有一个碳原子厚度的二维材料。2010年诺贝尔物理学表彰的石墨烯研究指的就是这种材料。后续研究表明,从电学性质上讲,两层与三层、乃至十层的碳原子也具有各自特殊物理性质,目前10层以内的说法逐渐被学术界认可。最近成立的中国石墨烯联盟标准化委员会认定,10层以内的碳原子材料才属于石墨烯范围。
2、石墨烯透明薄膜
而石墨烯透明薄膜是利用甲烷或者其它气体在铜箔上生长石墨烯,也就是所谓的气相沉积法,这种方法生产石墨烯更是与石墨资源毫无关系。石墨烯薄膜的生产,其实就是把气体通过一系列处理,特别是高温处理,使其生长在金属衬底上,直至在金属衬底上长满。而石墨烯本身是透明的,对于金属衬底来说,上面有没有附着石墨烯,在颜色上仅稍微有一点点差别,一般人很难看出来。但是,通过这种方法制作的石墨烯的尺寸,基本取决于金属衬底的大小,石墨烯薄膜的尺寸和技术水平关联度不大。在商业化的环境下,探讨石墨烯薄膜的尺寸意义不大,综合经济成本才是关键性的因素。在综合经济成本当中,原料虽然可以忽略,但是生产石墨烯以及石墨烯的转移总体来说还是一个很复杂的过程,每一道工序都在无尘的环境中进行。
3、石墨烯浆料
石墨烯浆料是可以应用与真空显示屏、锂离子电池等电子器件上的导电添加剂,它一般是由石墨烯在高温下起粘结作用的玻璃粉分散于有机载体中,经过轧制而形成粒度小的浆料。制成的浆料可以直接出售给下游企业进行显示屏、锂离子电池等的制备。
总体来看,目前批量生产石墨烯的方式主要有三种:一种是利用化学气相沉积法在金属表面生长出层率很高,面积很大的石墨烯薄膜材料;一种是将天然石墨通过物理或者化学的方法粉碎,形成石墨烯粉体看起来就是很细的黑色粉末;最后一种则是石墨烯浆料,通过加入分散剂制备石墨烯导电浆料,便于下游企业进行深加工使用。也因此,石墨烯的制备的分为:石墨烯薄膜,石墨烯粉体和石墨烯浆料。国内,现在前者以常州二维碳素科技有限公司、格菲电子为代表,中间以第六元素、宁波墨西为代表;后者则是以万鑫石墨谷科技有限公司为代表。下面小编就带大家具体了解一下石墨烯的应用实例。
石墨烯透明导电薄膜实例详解:
2016 年3月3日下午,四川省石墨烯产业技术创新联盟在德阳市成立。在成立大会上,他们宣布石墨烯透明导电薄膜已经进入中试阶段,不久将正式投产生产。石墨烯透明导电薄膜,厚度不足毫米,可以随意弯曲,将广泛运用在手机触摸屏等方面,智能手机软屏、柔性液晶面板等。
其实在导电薄膜应用方面,引领全球的国家是韩国。三星在2010年6月宣布与韩国成均馆大学共同制作了30英寸(对角线约76cm)的石墨烯片。这个巨大石墨烯片的制作方法在某种意义上类似于诺沃肖洛夫所采用的使用胶带的“机械式剥离法”。机械式剥离法是先把粘着胶带(最初使用了Scotch胶带,后来使用的是日本的日东胶带)贴在石墨上,然后通过揭下胶带把石墨烯转印到胶带上。成均馆大学等开发出的方法是采用卷对卷的方式把以CVD法制备于铜(Cu)箔上的石墨烯片转印到大型树脂片上。下图是成均馆大学[1]采用卷对卷的方式制备转移石墨烯薄膜的过程。
卷轴式的转移步骤主要是:
1. 将聚合物膜粘在铜箔上的石墨烯膜上;
2. 化学刻蚀出去铜箔;
3. 将石墨烯薄膜转移到目标基底。日前,这项技术已经成功申请国际专利,主要应用于生产三星公司的触摸屏透明导电电极。
除了上述的转移方法,在国内主要是先在金属基底CVD生长石墨烯,然后用PMMA转移,溶解除去金属和PMMA,制备高质量的石墨烯膜。在实际生产中,为了减少石墨烯膜在转移过程中出现的不完整现象,通常会采用两种方法,再用丙酮溶解PMMA之前滴加少量PMMA溶液部分溶解前一步沉积的PMMA,有利于减少石墨烯与PMMA间的作用力,增强石墨烯与目标基底的接触,保证石墨烯膜的完整性;另外一种方法则是在Cu片上生长石墨烯薄膜,用PMMA转移,用氯化铁溶解金属铜,然后转移到其他基底表面,最后用丙酮溶解去除PMMA,最后把沉积有石墨烯薄膜的基底浸入到浓硝酸中得到P型掺杂的透明导电薄膜。由于其优越的性能,这种透明导电薄膜一般生产成本比较高,产品只适用于高端领域比如航空航天触摸屏,显示屏
石墨烯透明导电薄膜主要用在太阳能电池和显示器件等方面。
大比表面积和宽波段高透光率,可以在很大程度上增加到达激活区的太阳辐射,提高电池在高能谱区的灵敏度,同时还可以用作激活区的抗反射层提高透过率; 另外由于石墨烯的高空穴传输性同时还可以作为功能层应用在太阳能电池中,因此石墨烯薄膜在染料敏华太阳能电池和光伏电池领域的应用得到飞速发展。石墨烯薄膜作为电池的电极,通常用来取代传统的氧化物导电薄膜(比如氧化锡,氧化铟)等形成电池的电极组成部分。下图为石墨烯太阳能电池结构示意图。
(从上到下依次为:Ag-BCP-Cu-CuPc-PEDOT:PSS-Graphene-Quantum Substrate,其中石墨烯替代了之前的ITO薄膜)
平板显示器目前从电子表、游戏机到通讯设备、检测仪器,以及办公室自动化设备,便携个人电脑、电子记事本、录相机、壁挂电视等等无所不用,因为它可达到薄轻如纸,画面精美、低电压、低功耗的要求。而石墨烯透明导电薄膜由于其超薄、透光率高、原料廉价以及性能稳定而备受研究者青睐。如下图:
(1-8层分别是:玻璃-石墨烯-Cr/Au层-聚乙烯醇-液晶-取向层-ITO-玻璃)
借助光学显微镜和拉曼在玻璃基底上制备石墨烯薄膜,同时在其边缘镀上金属铬和金形成一个金属窗,和另一片ITO 形成夹层,在夹层间填上液晶分子,制备出具有高对比度的LCD 器件。
石墨烯导电浆料
在鸡西,一批石墨矿石被采出后经初加工形成了高纯度石墨原料,接着被运到500公里外的哈尔滨。在松花江北岸哈尔滨万鑫石墨谷科技有限公司生产线上,它们 经历一套世界水准复杂工艺的洗礼,完成从“路人”到“明星”的惊人巨变——普通石墨原料成为拥有超高电导性能的石墨烯产品,国内外多家主流锂电池生产企业 已决定采用冰城石墨烯产品。眼下,数吨石墨烯产品将从哈尔滨发货,不久将走上一家国外大型锂电池企业的生产线。石墨烯产品目前主要以导电浆料形态下线,便于下游采购企业直接使用。
石墨烯导电浆料本质上就是石墨烯与聚合物的复合,即石墨烯导电添加剂。石墨烯在锂离子电池上的应用主要有:
1.石墨烯在锂离子负极的应用:石墨烯直接作为锂离子电池负极,这个实现的方式就是石墨烯透明导电薄膜;石墨烯/SnO2 复合材料或石墨烯/Si 复合材料作为锂离子电池的负极,这方面的应用主要涉及石墨烯粉体的应用。
2.石墨烯在锂离子电池的正极的应用:石墨烯与磷酸铁锂、磷酸钒锂的复合做正极,这也是石墨烯粉体的下游应用。
3.石墨烯作为锂电池的导体添加剂则是石墨烯浆料的应用。
在锂离子电池中加入石墨烯导电浆料后,锂电池的大电流充放电性能、循环稳定性和安全性都得到了极大改善,其效果甚至超出了目前高性能动力锂电池用的碳纳米管导电添加剂。针对不同的聚合物基体和不同的需求,石墨烯浆料的制备方法主要有溶液混合。熔融共混和原位聚合法。其中熔融混合法因为成本低,是工业化最常见的方法。
❻ 环氧树脂胶粘剂的专利技术
环氧树脂胶粘剂专利技术
1、耐航空燃料的不含铬酸盐的、单组分型的、非固化性的防腐蚀密封剂
2、一种半导体封装用的液体环氧组合物及其用途
3、耐热性、耐寒性优越的热熔粘合剂组合物
4、建筑结构用粘合剂
5、粉状可交联织物粘合剂组合物
6、聚合物分散体作为密封或涂料组合物的粘合剂的用途
7、复合环氧树脂
8、厚膜阴极电泳涂料用树脂乳液的制备
9、彩釉玻璃胶粘剂
10、一种芳香胺环氧固化剂及其制备方法
11、一种液体芳香胺固化的环氧灌封材料及其制备方法
12、瞬间堵漏胶及施用方法
13、冷固化的环氧树脂配方
14、用于制备改进树脂的改进方法
15、光固化胶粘剂
16、紫外线固化性粘合剂组合物及其物品
17、含有二硫代∴酰胺粘合促进剂的环氧粘合剂
18、高取代度羟丙基淀粉的制备工艺方法
19、用于粘结半导体晶片的无溶剂环氧基粘合剂和其制备方法
20、一种高级耐热阻燃灌封浸渍树脂胶
21、阻燃热塑性树脂组合物
22、粘锚式包钢加固粘结材料及加固工法
23、含单烃基化二烯聚合物及其环氧化衍生物的聚氨酯涂料和粘合剂
24、一种抗流淌糊状环氧胶粘剂
25、粘合剂组合物和粘合片
26、改进粘合性的可固化有机聚硅氧烷组合物
27、环氧树脂固化剂及其制备方法
28、湿气活化的粘合剂组合物
29、以脂化学反应产物为基的粘合剂
30、用于柔性印刷电路的耐高温胶粘剂及制备
31、环氧粘合剂及使用它们的铜箔和层板
32、辐射交联及随后热硬化的粘合剂
33、高强石膏粘结粉
34、高强度、高韧性和高耐磨性的聚氨酯-环氧树脂复合材料的制备方法
35、具有耐高温性的结构粘合剂组合物
36、氨基多官能环氧树脂类耐热建筑结构胶粘剂
37、改善压敏粘合剂在低于0°F温度下的性能的方法
38、工艺纸草上光保护剂
39、双酚A环氧丙烯酸双酯的制备方法
40、一种新型双组分绝缘粘胶剂
41、缩醛法制备酚醛型环氧树脂的方法
42、增强聚酰亚胺对活性金属的粘合力的方法
43、环氧双组分透明软性封装胶的制备
44、绒屑粘合剂组合物
45、单组分、不流淌的韧性环氧胶粘剂
46、一种无苯低毒环氧漆稀释剂
47、耐高温瞬间堵漏胶及其配制方法
48、低粘度环氧树脂组合物
49、一种田菁胶的化学改性工艺及其制品
50、具有优良粘合性能的光聚合组合物及其制品和制备方法
51、室温固化耐高温高强韧性环氧结构胶粘剂及制备方法
52、室温下可固化的结构型环氧糊状粘合剂及其制造方法
53、环氧树酯混合料
54、用作阴极电解涂层用的粘合剂
55、具有高附着强度的可焊接传导合成物
56、树脂组合物以及用其制造层压板的方法
❼ 谁有电子产品的工艺文件让我参考一下
介绍两个,但愿能帮助你
第一个:1.1 PCB扮演的角色
PCB的功能为提供完成第一层级构装的组件与其它必须的电子电路零件接 合的基地,以组成一个具特定功能的模块或成品。所以PCB在整个电子产 品中,扮演了整合连结总其成所有功能的角色,也因此时常电子产品功能故 障时,最先被质疑往往就是PCB。图1.1是电子构装层级区分示意。
1.2 PCB的演变
1.早于1903年Mr. Albert Hanson首创利用"线路"(Circuit)观念应用于电话交换机系统。它是用金属箔予以切割成线路导体,将之黏着于石蜡纸上,上面同样贴上一层石蜡纸,成了现今PCB的机构雏型。见图1.2
2. 至1936年,Dr Paul Eisner真正发明了PCB的制作技术,也发表多项专利。而今日之print-etch(photoimage transfer)的技术,就是沿袭其发明而来的。
1.3 PCB种类及制法
在材料、层次、制程上的多样化以适 合 不同的电子产品及其特殊需求。 以下就归纳一些通用的区别办法,来简单介绍PCB的分类以及它的制造方 法。
1.3.1 PCB种类
A. 以材质分
a. 有机材质
酚醛树脂、玻璃纤维/环氧树脂、Polyimide、BT/Epoxy等皆属之。
b. 无机材质
铝、Copper-invar-copper、ceramic等皆属之。主要取其散热功能
B. 以成品软硬区分
a. 硬板 Rigid PCB
b.软板 Flexible PCB 见图1.3
c.软硬板 Rigid-Flex PCB 见图1.4
C. 以结构分
a.单面板 见图1.5
b.双面板 见图1.6
c.多层板 见图1.7
D. 依用途分:通信/耗用性电子/军用/计算机/半导体/电测板…,见图1.8 BGA.
另有一种射出成型的立体PCB,因使用少,不在此介绍。
1.3.2制造方法介绍
A. 减除法,其流程见图1.9
B. 加成法,又可分半加成与全加成法,见图1.10 1.11
C. 尚有其它因应IC封装的变革延伸而出的一些先进制程,本光盘仅提及但不详加介绍,因有许多尚属机密也不易取得,或者成熟度尚不够。 本光盘以传统负片多层板的制程为主轴,深入浅出的介绍各个制程,再辅以先进技术的观念来探讨未来的PCB走势。
2.3.1客户必须提供的数据:
电子厂或装配工厂,委托PCB SHOP生产空板(Bare Board)时,必须提供下列数据以供制作。见表料号数据表-供制前设计使用.
上表数据是必备项目,有时客户会提供一片样品, 一份零件图,一份保证书(保证制程中使用之原物料、耗料等不含某些有毒物质)等。这些额外数据,厂商须自行判断其重要性,以免误了商机。
2.3.2 .资料审查
面对这么多的数据,制前设计工程师接下来所要进行的工作程序与重点,如下所述。
A. 审查客户的产品规格,是否厂内制程能力可及,审查项目见承接料号制程能力检查表.
B.原物料需求(BOM-Bill of Material)
根据上述资料审查分析后,由BOM的展开,来决定原物料的厂牌、种类及规格。主要的原物料包括了:基板(Laminate)、胶片(Prepreg)、铜箔(Copper foil)、防焊油墨(Solder Mask)、文字油墨(Legend)等。另外客户对于Finish的规定,将影响流程的选择,当然会有不同的物料需求与规格,例如:软、硬金、喷钖、OSP等。
表归纳客户规范中,可能影响原物料选择的因素。
C. 上述乃属新数据的审查, 审查完毕进行样品的制作.若是旧数据,则须Check有无户ECO (Engineering Change Order) ,然后再进行审查.
D.排版
排版的尺寸选择将影响该料号的获利率。因为基板是主要原料成本(排版最佳化,可减少板材浪费);而适当排版可提高生产力并降低不良率。
有些工厂认为固定某些工作尺寸可以符合最大生产力,但原物料成本增加很多.下列是一些考虑的方向:
一般制作成本,直、间接原物料约占总成本30~60%,包含了基板、胶片、铜箔、防焊、干膜、钻头、重金属(铜、钖、铅),化学耗品等。而这些原物料的耗用,直接和排版尺寸恰当与否有关系。大部份电子厂做线路Layout时,会做连片设计,以使装配时能有最高的生产力。因此,PCB工厂之制前设计人员,应和客户密切沟通,以使连片Layout的尺寸能在排版成工作PANEL时可有最佳的利用率。要计算最恰当的排版,须考虑以下几个因素。
a.基材裁切最少刀数与最大使用率(裁切方式与磨边处理须考虑进去)。
b.铜箔、胶片与干膜的使用尺寸与工作PANEL的尺寸须搭配良好,以免浪费。
c.连片时,piece间最小尺寸,以及板边留做工具或对位系统的最小尺寸。
d.各制程可能的最大尺寸限制或有效工作区尺寸.
e.不同产品结构有不同制作流程,及不同的排版限制,例如,金手指板,其排版间距须较大且有方向的考虑,其测试治具或测试次序规定也不一样。 较大工作尺寸,可以符合较大生产力,但原物料成本增加很多,而且设备制程能力亦需提升,如何取得一个平衡点,设计的准则与工程师的经验是相当重要的。
2.3.3 着手设计
所有数据检核齐全后,开始分工设计:
A. 流程的决定(Flow Chart) 由数据审查的分析确认后,设计工程师就要决定最适切的流程步骤。 传统多层板的制作流程可分作两个部分:内层制作和外层制作.以下图标几种代 表性流程供参考.见图2.3 与 图2.4
B. CAD/CAM作业
a. 将Gerber Data 输入所使用的CAM系统,此时须将apertures和shapes定义好。目前,己有很多PCB CAM系统可接受IPC-350的格式。部份CAM系统可产生外型NC Routing 档,不过一般PCB Layout设计软件并不会产生此文件。 有部份专业软件或独立或配合NC Router,可设定参数直接输出程序.
Shapes 种类有圆、正方、长方,亦有较复杂形状,如内层之thermal pad等。着手设计时,Aperture code和shapes的关连要先定义清楚,否则无法进行后面一系列的设计。
b. 设计时的Check list
依据check list审查后,当可知道该制作料号可能的良率以及成本的预估。
c. Working Panel排版注意事项:
-PCB Layout工程师在设计时,为协助提醒或注意某些事项,会做一些辅助的记号做参考,所以必须在进入排版前,将之去除。下表列举数个项目,及其影响。
-排版的尺寸选择将影响该料号的获利率。因为基板是主要原料成本(排版最佳化,可减少板材浪费);而适当排版可提高生产力并降低不良率。
有些工厂认为固定某些工作尺寸可以符合最大生产力,但原物料成本增加很多.下列是一些考虑的方向:
一般制作成本,直、间接原物料约占总成本30~60%,包含了基板、胶片、铜箔、防焊、干膜、钻头、重金属(铜、钖、铅、金),化学耗品等。而这些原物料的耗用,直接和排版尺寸恰当与否有关系。大部份电子厂做线路Layout时,会做连片设计,以使装配时能有最高的生产力。因此,PCB工厂之制前设计人员,应和客户密切沟通,以使连片Layout的尺寸能在排版成工作PANEL时可有最佳的利用率。要计算最恰当的排版,须考虑以下几个因素。
1.基材裁切最少刀数与最大使用率(裁切方式与磨边处理须考虑进去)。
2.铜箔、胶片与干膜的使用尺寸与工作PANEL的尺寸须搭配良好,以免浪费。
3.连片时,piece间最小尺寸,以及板边留做工具或对位系统的最小尺寸。
4.各制程可能的最大尺寸限制或有效工作区尺寸.
5不同产品结构有不同制作流程,及不同的排版限制,例如,金手指板,其排版间距须较大且有方向的考虑,其测试治具或测试次序规定也不一样。
较大工作尺寸,可以符合较大生产力,但原物料成本增加很多,而且设备制程能力亦需提升,如何取得一个平衡点,设计的准则与工程师的经验是相当重要的。
-进行working Panel的排版过程中,尚须考虑下列事项,以使制程顺畅,表排版注意事项 。
d. 底片与程序:
-底片Artwork 在CAM系统编辑排版完成后,配合D-Code档案,而由雷射绘图机(Laser Plotter)绘出底片。所须绘制的底片有内外层之线路,外层之防焊,以及文字底片。
由于线路密度愈来愈高,容差要求越来越严谨,因此底片尺寸控制,是目前很多PCB厂的一大课题。表是传统底片与玻璃底片的比较表。玻璃底片使用比例已有提高趋势。而底片制造商亦积极研究替代材料,以使尺寸之安定性更好。例如干式做法的铋金属底片.
一般在保存以及使用传统底片应注意事项如下:
1.环境的温度与相对温度的控制
2.全新底片取出使用的前置适应时间
3.取用、传递以及保存方式
4.置放或操作区域的清洁度
-程序
含一,二次孔钻孔程序,以及外形Routing程序其中NC Routing程序一般须另行处理
e. DFM-Design for manufacturing .Pcb lay-out 工程师大半不太了解,PCB制作流程以及各制程需要注意的事项,所以在Lay-out线路时,仅考虑电性、逻辑、尺寸等,而甚少顾及其它。PCB制前设计工程师因此必须从生产力,良率等考虑而修正一些线路特性,如圆形接线PAD修正成泪滴状,见图2.5,为的是制程中PAD一孔对位不准时,尚能维持最小的垫环宽度。
但是制前工程师的修正,有时却会影响客户产品的特性甚或性能,所以不得不谨慎。PCB厂必须有一套针对厂内制程上的特性而编辑的规范除了改善产品良率以及提升生产力外,也可做为和PCB线路Lay-out人员的沟通语言,见图2.6 .
C. Tooling
指AOI与电测Netlist档..AOI由CAD reference文件产生AOI系统可接受的数据、且含容差,而电测Net list档则用来制作电测治具Fixture。
第二个
线路板的工艺流程介绍
一. 双面板工艺流程:
覆铜板(CCL)下料(Cut)→钻孔(Drilling)→沉铜(PTH)→全板镀铜(Panel Plating)→图形转移(Pattern)油墨或干膜→图形电镀(Pattern plating)→蚀刻(Etch)→半检IQC→丝印阻焊油墨和字符油墨(SS)或贴阻焊干膜→热风整平或喷锡(HAL)→外形(Pounching)→成检(FQC)→电测试E-TEST→包装(Packaging)
二. 多层板工艺流程:
内层覆铜板(CCL)铜箔(Copper Foil)下料(Cut)→内层图形制作(Inner-layer Pattern)→内层蚀刻(Inner-layer Etch)→内层黑氧化(Black-oxide)→层压or压合制程→钻孔(Drilling)→沉铜(PTH)→全板镀铜(Panel Plating)→外层蚀刻(Outer-layer Etch)→半检IQC→丝印阻焊油墨和字符油墨(SS)或贴阻焊干膜→热风整平或喷锡(HAL)→外形(Pounching)→成检(FQC)→电测试E-TEST→包装(Packaging)
❽ 铜皮的电缆
氧化镁矿物绝缘电缆。
矿物绝缘电缆是用退火铜作为导体、密实氧化镁作为绝缘、退火铜管作为护套的一种电缆,必要时,在退火铜护套外面挤包一层塑料外护层,特殊要求无烟无卤场合可以在外面加一层低烟无卤护套。
矿物绝缘电缆(Mineral Insulated Cable)简称MI电缆,作为配线使用时,国内习惯称作氧化镁电缆或防火电缆。它是由矿物材料氧化镁粉作为绝缘的铜芯铜护套电缆,矿物绝缘电缆由铜导体、氧化镁、铜护套两种无机材料组成。
矿物绝缘电缆在国外开展较早,早在19世纪末一位瑞士工程师Arnold Francois Borel就提出矿物绝缘电缆的设想,并于1896年获得专利权,1934-1936年法国、英国相继投入生产以后迅速发展,各主要工业国家意、加、澳、美、苏、日都相继开发投产,我国也于上世纪六十年代开发生产,20世纪末开始批量生产,21世纪进入国家防火设计规范并在国内大量使用。
❾ 你好。有些问题想向您咨询一下
BGA返修台 一,非光学机型(ZM-R380C,ZM-R380B,ZM-R590,ZM-R5830,ZM-R5850,ZM-R5860,ZM-R5850C,ZM-R5860C,) 二,光学机型(ZM-R6800,ZM-R6808,ZM-R6810,ZM-R680C,ZM-R680D,ZM-R6821,ZM-R8650) BGA返修台
[1] BGA植球加工
BGA返修台
分光学对位与非光学对位
光学对位——通过光学模块采用裂棱镜成像,LED照明方式,调整光场分布,使小芯片成像显示与显示器上。以达到光学对位返修。 非光学对位 ——则是通过肉眼将BGA根据PCB板丝印线及点对位,以达到对位返修。 针对不同大小的BGA原件进行视觉对位,焊接、拆卸的智能操作设备,有效提高返修率生产率,大大降低成本。 BGA返修台ZM-R5860C
BGA:BGA封装内存 BGA封装(Ball Grid Array Package)的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它 的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。 BGA封装技术可详分为五大类: 1.PBGA(Plasric BGA)基板:一般为2-4层有机材料构成的多层板。Intel系列CPU中,Pentium II、III、IV处理器均采用这种封装形式。 2.CBGA(CeramicBGA)基板:即陶瓷基板,芯片与基板间的电气连接通常采用倒装芯片(FlipChip,简称FC)的安装方式。Intel系列CPU中,Pentium I、II、Pentium Pro处理器均采用过这种封装形式。 3.FCBGA(FilpChipBGA)基板:硬质多层基板。 4.TBGA(TapeBGA)基板:基板为带状软质的1-2层PCB电路板。 5.CDPBGA(Carity Down PBGA)基板:指封装中央有方型低陷的芯片区(又称空腔区)。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术,TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的,其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2~3倍,与TSOP封装产品相比,其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术,TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid Array(小型球栅阵列封装),属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的,其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2~3倍,与TSOP封装产品相比,其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。 BGA的全称是Ball Grid Array(球栅阵列结构的PCB),它是集成电路采用有机载板的一种封装法。它具有:①封装面积减少②功能加大,引脚数目增多③PCB板溶焊时能自我居中,易上锡④可靠性高⑤电性能好,整体成本低等特点。有BGA的PCB板一般小孔较多,大多数客户BGA下过孔设计为成品孔直径8~12mil,BGA处表面贴到孔的距离以规格为31.5mil为例,一般不小于10.5mil。BGA下过孔需塞孔,BGA焊盘不允许上油墨,BGA焊盘上不钻孔 BGA主要有四种基本类型:PBGA、CBGA、CCGA和TBGA,一般都是在封装体的底部连接着作为I/O引出端的焊球阵列。这些封装的焊球阵列典型的间距为1.0mm、1.27mm、1.5mm,焊球的铅锡组份常见的主要有63Sn/37Pb和90Pb/10Sn两种,焊球的直径由于目前没有这方面相应的标准而各个公司不尽相同。从BGA的组装技术方面来看,BGA有着比QFP器件更优越的特点,其主要体现在BGA器件对于贴装精度的要求不太严格,理论上讲,在焊接回流过程中,即使焊球相对于焊盘的偏移量达50%之多,也会由于焊料的表面张力作用而使器件位置得以自动校正,这种情况经实验证明是相当明显的。其次,BGA不再存在类似QFP之类器件的引脚变形问题,而且BGA还具有相对QFP等器件较良好的共面性,其引出端间距与QFP相比要大得多,可以明显减少因焊膏印刷缺陷导致焊点“桥接”的问题;另外,BGA还有良好的电性能和热特性,以及较高的互联密度。BGA的主要缺点在于焊点的检测和返修都比较困难,对焊点的可靠性要求比较严格,使得BGA器件在很多领域的应用中受到限制。 以下就四种基本类型的BGA,从其结构特点等多方面加以阐述。 1.1 PBGA(Plastic Ball Grid Array塑封球栅阵列) PBGA即通常所说的OMPAC(Overmolded Plastic Array Carrier),是最普通的BGA封装类型(见图2)。PBGA的载体是普通的印制板基材,例如FR-4、BT树脂等。硅片通过金属丝压焊方式连接到载体的上表面,然后用塑料模压成形,在载体的下表面连接有共晶组份(37Pb/63Sn)的焊球阵列。焊球阵列在器件底面上可以呈完全分布或部分分布(见图3),通常的焊球尺寸0.75~0.89mm左右,焊球节距有1.0mm、1.27mm、1.5mm几种。 图2 PBGA内部结构 图3部分分布与完全分布示意图 PBGA可以用现有的表面安装设备和工艺进行组装。首先通过漏印方式把共晶组份焊膏印刷到相应的PCB焊盘上,然后把PBGA的焊球对应压入焊膏并进行回流,因漏印采用的焊膏和封装体的焊球均为共晶焊料,所以在回流过程中焊球和焊膏共熔,由于器件重量和表面张力的作用,焊球坍塌使得器件底部和PCB之间的间隙减小,焊点固化后呈椭球形。目前,PBGA169~313已有批量生产,各大公司正不断开发更高的I/O数的PBGA产品,预计在近两年内I/O数可达600~1000。 PBGA封装的主要优点: ①可以利用现有的组装技术和原材料制造PBGA,整个封装的费用相对较低。 ②和QFP器件相比,不易受到机械损伤。 ③可适用于大批量的电子组装。 PBGA技术的主要挑战是保证封装的共面性、减少潮气的吸收和防止“popcorn”现象的产生以及解决因日趋增大的硅片尺寸引起的可靠性问题,对于更高I/O数的封装,PBGA技术的难度将更大。由于载体所用材料是印制板基材,所以在组装件中PCB和PBGA载体的热膨胀系数(TCE)近乎相同,因此在回流焊接过程中,对焊点几乎不产生应力,对焊点的可靠性影响也较小。目前PBGA应用遇到的问题是如何继续减少PBGA封装的费用,使PBGA能在I/O数较低的情况下仍比QFP节省费用。 1.2 CBGA(Ceramic Ball Grid Array陶瓷球栅阵列) 图4 CBGA和CCGA的结构比较 CBGA通常也称作SBC(Solder Ball Carrier),是BGA封装的第二种类型(见图4)。CBGA的硅片连接在多层陶瓷载体的上表面,硅片与多层陶瓷载体的连接可以有两种形式,第一种是硅片线路层朝上,采用金属丝压焊的方式实现连接,另一种则是硅片的线路层朝下,采用倒装片结构方式实现硅片与载体的连接。硅片连接完成之后,对硅片采用环氧树脂等填充物进行包封以提高可靠性和提供必要的机械防护。在陶瓷载体的下表面,连接有90Pb/10Sn焊球阵列,焊球阵列的分布可以有完全分布或部分分布两种形式,焊球尺寸通常约0.89mm左右,间距因各家公司而异,常见的为1.0mm和1.27mm。 PBGA器件也可以用现有的组装设备和工艺进行组装,但由于与PBGA的焊球组份不同,使得整个组装过程和PBGA有所不同。PBGA组装采用的共晶焊膏的回流温度为183℃,而CBGA焊球的熔化温度约为300℃,现有的表面安装回流过程大都是在220℃回流,在这个回流温度下仅熔化了焊膏,但焊球没有熔化。因此,要形成良好的焊点,漏印到焊盘上的焊膏量和PBGA相比要多,其目的首先是要用焊膏补偿CBGA焊球的共平面误差,其次是保证能形成可靠的焊点连接。 在回流之后,共晶焊料包容焊球形成焊点,焊球起到了刚性支撑的作用,因此器件底部与PCB的间隙通常要比PBGA大。CBGA的焊点是由两种不同的Pb/Sn组份焊料形成的,但共晶焊料和焊球之间的界面实际上并不明显,通常焊点的金相分析,可以看到在界面区域形成一个从90Pb/10Sn到37Pb/63Sn的过渡区。 目前一些产品已采用了I/O数196~625的CBGA封装器件,但CBGA的应用还不太广泛,更高I/O数的CBGA封装的发展也停滞不前,主要归咎于CBGA组装中存在的PCB和多层陶瓷载体之间的热膨胀系数(TCE)不匹配问题,这个问题的出现,使得在热循环时引起封装体尺寸较大的CBGA焊点产生失效。通过大量的可靠性测试,已经证实了封装体尺寸小于32mm×32mm的CBGA均可以满足工业标准热循环试验规范。CBGA的I/O数目前限制在625以下,对于陶瓷封装体尺寸在32mm×32mm以上的,则必须要考虑采取其它类型的BGA。 CBGA封装的主要优点在于: 1)具有优良的电性能和热特性。 2)具有良好的密封性能。 3)和QFP器件相比,CBGA不易受到机械损伤。 4)适用于I/O数大于250的电子组装应用。 此外,由于CBGA的硅片与多层陶瓷的连接可以采用倒装片连接方式,所以可以达到比金属丝压焊连接方式更高的互联密度。在很多情况下,尤其是在高I/O数的应用下,ASICs的硅片尺寸受到金属丝压焊焊盘尺寸的限制,CBGA通过采用了更高密度的硅片互联线路,使得硅片的尺寸可以进一步减小而又不牺牲功能,从而降低了费用。 目前CBGA技术的发展没有太大的困难,其主要的挑战在于如何使CBGA在电子组装行业的各个领域中得到广泛应用。首先必须要能保证CBGA封装在大批量生产工业环境中的可靠性,其次CBGA封装的费用必须要能和其它BGA封装相比拟。由于CBGA封装的复杂性以及相对高的费用,使得CBGA被局限应用于高性能、高I/O数要求的电子产品。此外,由于CBGA封装的重量要比其它类型BGA封装大,所以在便携式电子产品中的应用也受到限制。 1.3 CCGA(Ceramic Cloumn Grid Array 陶瓷柱栅阵列) CCGA也称SCC(Solder Column Carrier),是CBGA在陶瓷体尺寸大于32mm×32mm时的另一种形式(见图5),和CBGA不同的是在陶瓷载体的下表面连接的不是焊球而是90Pb/10Sn的焊料柱,焊料柱阵列可以是完全分布或部分分布的,常见的焊料柱直径约0.5mm,高度约为2.21mm,柱阵列间距典型的为1.27mm。CCGA有两种形式,一种是焊料柱与陶瓷底部采用共晶焊料连接,另一种则采用浇铸式固定结构。CCGA的焊料柱可以承受因PCB和陶瓷载体的热膨胀系数TCE不匹配产生的应力,大量的可靠性试验证实封装体尺寸小于44mm×44mm的CCGA均可以满足工业标准热循环试验规范。CCGA的优缺点和CBGA非常相似,唯一的明显差异是CCGA的焊料柱比CBGA的焊球在组装过程中更容易受到机械损伤。目前有些电子产品已经开始应用CCGA封装,但是I/O数在626~1225之间的CCGA封装暂时尚未形成批量生产,I/O数大于2000的CCGA封装仍在开发中。 图5 CCGA(Ceramic Cloumn Grid Array 陶瓷柱栅阵列) 1.4 TBGA(Tape Ball Grid Array 载带球栅阵列) 图6 TBGA内部结构 TBGA又称为ATAB(Araay Tape Automated Bonding),是BGA的一种相对较新的封装类型(见图6)。TBGA的载体是铜/聚酰亚胺/铜双金属层带,载体的上表面分布有信号传输用的铜导线,而另一面则作为地层使用。硅片与载体之间的连接可以采用倒装片技术来实现,当硅片与载体的连接完成后,对硅片进行包封以防止受到机械损伤。载体上的过孔起到了连通两个表面、实现信号传输的作用,焊球通过采用类似金属丝压焊的微焊接工艺连接到过孔焊盘上形成焊球阵列。在载体的顶面用胶连接着一个加固层,用于给封装体提供刚性和保证封装体的共面性。在倒装硅片的背面一般用导热胶连接着散热片,给封装体提供良好的热特性。TBGA的焊球组份为90Pb/10Sn,焊球直径约为0.65mm,典型的焊球阵列间距有1.0mm、1.27mm、1.5mm几种,TBGA与PCB之间的组装所采用的为63Sn/37Pb共晶焊料。TBGA也可以利用现有的表面安装设备和工艺,采用与CBGA相似的组装方法进行组装。 目前常用的TBGA封装的I/O数小于448,TBGA736等产品已上市,国外一些大公司正在开发I/O数大于1000的TBGA。 TBGA封装的优点在于: ①比其它大多数BGA封装类型更轻更小(尤其是I/O数较高的封装)。 ②具有比QFP和PBGA封装更优越的电性能。 ③可适于批量电子组装。 此外,这种封装采用高密度的倒装片形式实现硅片与载体的连接,使TBGA具有信号噪声小等很多优点,由于印制板和TBGA封装中加固层的热膨胀系数TCE基本上是相互匹配的,所以对组装后TBGA焊点可靠性的影响并不大,TBGA封装遇到的最主要问题是潮气的吸收对封装的影响。 TBGA应用遇到的问题是如何才能在电子组装领域中占有一席之地,首先TBGA的可靠性必须能在批量生产环境中予以证实,其次TBGA封装的费用必须要能和PBGA封装相比拟。由于TBGA的复杂性和相对高的封装费用,TBGA目前主要用于高性能、高I/O数的电子产品。 2 Flip Chip : 和其它表面安装器件不同,倒装片无封装,互联阵列分布于硅片的表面,取代了金属丝压焊连接形式,硅片直接以倒扣方式安装到PCB上。倒装片不再需要从硅片向四周引出I/O端,互联的长度大大缩短,减小了RC延迟,有效地提高了电性能。倒装片连接有三种主要类型:C4、DC4和FCAA。 2.1 C4(Controlled Collapse Chip Connection可控坍塌芯片连接) 图7 C4结构形式 C4是类似超细间距BGA的一种形式(见图7)。与硅片连接的焊球阵列一般的间距为0.203~0.254mm,焊球直径为0.102~0.127mm,焊球组份为97Pb/3Sn,这些焊球在硅片上可以呈完全分布或部分分布。由于陶瓷可以承受较高的回流温度,因此陶瓷被用来作为C4连接的基材,通常是在陶瓷的表面上预先分布有镀Au或Sn的连接盘,然后进行C4形式的倒装片连接。 C4连接不能使用目前现有的组装设备和工艺进行组装,因为97Pb/3Sn焊球的熔化温度是320℃,且在这种采用C4连接的互联结构中不存在其它组份的焊料。在C4连接中,取代了焊膏漏印,而是采用印刷高温助焊剂的方式,首先将高温助焊剂印刷到基材的焊盘或硅片的焊球上,然后硅片上的焊球和基材上相应焊盘精确对位,通过助焊剂提供足够的粘附力来保持相对位置并直到回流焊接完成。C4连接采用的回流温度为360℃,在该温度下焊球熔化,硅片处于“悬浮”状态,由于焊料表面张力的作用,硅片会自动校正焊球和焊盘的相对位置,最终焊料坍塌至一定的高度形成连接点。C4连接方式主要应用于CBGA和CCGA封装中,此外,有些厂家在陶瓷多芯片模块(MCM—C)应用中也使用这种技术。目前采用C4连接的I/O数在1500以下,一些公司预期开发的I/O数将超过3000。 C4连接的优点在于: 1)具有优良的电性能和热特性。 2)在中等焊球间距的情况下,I/O数可以很高。 3)不受焊盘尺寸的限制。 4)可以适于批量生产。 5)可大大减小尺寸和重量。 此外,C4连接在硅片和基材之间只有一个互联界面,可提供最短的、干扰最小的信号传递通道,减少的界面数量使得结构更简单,并且可靠性更高。C4连接在技术上还存在很多挑战,真正应用于电子产品还有一定的难度。C4连接方式只能适用于陶瓷基材,它们将在高性能、高I/O数的产品中得到广泛的应用,例如CBGA、CCGA和MCM—C等。 2.2 DCA(Direct Chip Attach 直接芯片连接) DCA和C4类似,是一种超细间距连接(见图8)。DCA的硅片和C4连接中的硅片结构相同,两者之间的唯一区别在于基材的选择,DCA采用的基材是典型的印制材料。DCA的焊球组份是97Pb/3Sn,连接焊接盘上的焊料是共晶焊料(37Pb/63Sn)。对于DCA,由于间距仅为0.203~0.254mm,共晶焊料漏印到连接焊盘上相当困难,所以取代焊膏漏印这种方式,在组装前给连接焊盘顶镀上铅锡焊料,焊盘上的焊料体积要求十分严格,通常要比其它超细间距元件所用的焊料多。在连接焊盘上0.051~0.102mm厚的焊料由于是预镀的,一般略呈圆顶状,必须要在贴片前整平,否则会影响焊球和焊盘的可靠对位。 图8 DCA结构形式 这种连接方式可以用现在的表面安装设备和工艺实现。首先,助焊剂通过印刷方式被分配到硅片上,然后进行硅片的贴装,最后回流焊接。DCA组装采用的回流温度约220℃,低于焊球的熔点但高于连接焊盘上的共晶焊料熔点,硅片上焊球的作用相当于刚性支撑,回流之后共晶焊料熔化,在焊球与焊盘之间形成焊点连接。对于这种采用两种不同的Pb/Sn组份形成的焊点,在焊点中两种焊料的界面实际并不明显,而是形成从97Pb/3Sn到37Pb/63Sn的光滑过渡区域。由于焊球的刚性支撑作用,DCA组装中焊球不“坍塌”,但还具有自校正特性。DCA已经开始得到应用,I/O数主要在350以下,一些公司计划开发的I/O数超过500。这种技术发展的动力不是更高的I/O数,而主要是着眼于尺寸、重量和费用的减小。DCA的特点和C4非常相似,由于DCA可以利用现有的表面安装工艺实现与PCB的连接,所以能采用这种技术的应用很多,尤其是在便携式电子产品中的应用。 然而并不能夸大DCA技术的优点,在DCA技术的发展过程中仍有许多技术挑战。在实际生产中使用这种技术的组装厂家为数并不多,他们都在努力提高工艺水平,以扩大DCA的应用。由于DCA连接把那些和高密度相关的复杂性转移到PCB上,所以给PCB的制造增加了难度,此外,专门生产带有焊球的硅片的厂家为数不多,在组装设备、工艺等各方面仍存在着很多值得关注的问题,只有这些问题得到了解决,才能推动DCA技术的发展。 2.3 FCAA(Flip Chip Adhesive Attachment 倒装片胶连接) FCAA连接存在多种形式,当前仍处于初期开发阶段。硅片与基材之间的连接不采用焊料,而是用胶来代替。这种连接中的硅片底部可以有焊球,也可以采用焊料凸点等结构。FCAA所用的胶包括各向同性和各向异性等多种类型,主要取决于实际应用中的连接状况。另外,基材的选用通常有陶瓷、印制板材料和柔性电路板等。这种技术目前尚未成熟,在这里就不作更多的阐述。
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BGA的全称是Ball Grid Array(球栅阵列结构的PCB),它是集成电路采用有机载板的一种封装法。它具有:①封装面积减少②功能加大,引脚数目增多③PCB板溶焊时能自我居中,易上锡④可靠性高⑤电性能好,整体成本低等特点。有BGA的PCB板一般小孔较多,大多数客户BGA下过孔设计为成品孔直径8~12mil,BGA处表面贴到孔的距离以规格为31.5mil为例,一般不小于10.5mil。BGA下过孔需塞孔,BGA焊盘不允许上油墨,BGA焊盘上不钻孔。- S% X. i: E% h5 O% X* o" ?# _我们公司目前对BGA下过孔塞孔主要采用工艺有:①铲平前塞孔:适用于BGA塞孔处阻焊单面露出或部分露出,若两种塞孔孔径相差1.5mm时,则无论是否阻焊两面覆盖均采用此工艺;②阻焊塞孔:应用于BGA塞孔处阻焊两面覆盖的板;③整平前后的塞孔:用于厚铜箔板或其他特殊需要的板。所塞钻孔尺寸有:0.25、0.30、0.35、0.40、0.45、0.50、0.55mm共7种。# T4 Z* |" c4 R在CAM制作中BGA应做怎样处理呢?' e+ d; L5 [4 h( Z, O# _3 j# F一、外层线路BGA处的制作:- Z4 Q8 p, g6 P6 ~: F1 p" X% a( c在客户资料未作处理前,先对其进行全面了解,BGA的规格、客户设计焊盘的大小、阵列情况、BGA下过孔的大小、孔到BGA焊盘的距离,铜厚要求为1~1.5盎司的PCB板,除了特定客户的制作按其验收要求做相应补偿外,其余客户若生产中采用掩孔蚀刻工艺时一般补偿2mil,采用图电工艺则补偿2.5mil,规格为31.5mil BGA的不采用图电工艺加工;当客户所设计BGA到过孔距离小于8.5mil,而BGA下过孔又不居中时,可选用以下方法:( i* H! i. o/ Q7 M可参照BGA规格、设计焊盘大小对应客户所设计BGA位置做一个标准BGA阵列,再以其为基准将需校正的BGA及BGA下过孔进行拍正,拍过之后要与原未拍前备份的层次对比检查一下拍正前后的效果,如果BGA焊盘前后偏差较大,则不可采用,只拍BGA下过孔的位置。! W, {+ f/ x2 G二、BGA阻焊制作: 8 A) ^/ ?% b. D7 T: c1、BGA表面贴阻焊开窗:与阻焊优化值一样其单边开窗范围为1.25~3mil,阻焊距线条(或过孔焊盘)间距大于等于1.5mil; ( p/ s: ^5 @, Z' z2、BGA塞孔模板层及垫板层的处理:! A" N( l% Q& V2 F$ y. Q4 L①制做2MM层:以线路层BGA焊盘拷贝出为另一层2MM层并将其处理为2MM范围的方形体,2MM中间不可有空白、缺口(如有客户要求以BGA处字符框为塞孔范围,则以BGA处字符框为2MM范围做同样处理),做好2MM实体后要与字符层BGA处字符框对比一下,二者取较大者为2MM层。) T$ f4 e- X; U% l0 Q②塞孔层(JOB.bga):以孔层碰2MM层(用面板中Actionsàreference selection功能参考2MM层进行选择),参数Mode选Touch,将BGA 2MM范围内需塞的孔拷贝到塞孔层,并命名为:JOB.bga(注意,如客户要求BGA处测试孔不作塞孔处理,则需将测试孔选出,BGA测试孔特征为:阻焊两面开满窗或单面开窗)。7 c7 z" j" b. e3 Y7 g* e5 ]③拷贝塞孔层为另一垫板层(JOB.sdb)。* A8 _; t2 B- G% R. y④按BGA塞孔文件调整塞孔层孔径和垫板层孔径。4 \* e, {1 D! e6 r/ v* [三、BGA对应堵孔层、字符层处理:5 j* C% S, w3 }' w g①需要塞孔的地方,堵孔层两面均不加挡点;) p2 m1 t2 x/ U) \* G4 s②字符层相对塞孔处过孔允许白油进孔。5 K1 {0 M# G5 |7 y* M' y以上步骤完成后,BGA CAM的单板制作就完成了,这只是目前BGA CAM的单板制作情况,其实由于电子信息产品的日新月异,PCB行业的激烈竞争,关于BGA塞孔的制作规程是经常在更换,并不断有新的突破。这每次的突破,使产品又上一个台阶,更适应市场变化的要求。我们期待更优越的关于BGA塞孔或其它的工艺出炉。